DMG3406L-7 与 BSS306N H6327 区别
| 型号 | DMG3406L-7 | BSS306N H6327 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMG3406L-7 | A-BSS306N H6327 | ||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 宽度 | - | 1.3mm | ||||
| 上升时间 | - | 2.3ns | ||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 1.5nC | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 495 pF @ 15 V | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 5S | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 11.2 nC @ 10 V | - | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | PG-SOT23-3 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||
| 连续漏极电流Id | 3.6A(Ta) | 2.3A | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 长度 | - | 2.9mm | ||||
| 下降时间 | - | 1.4ns | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 44mΩ | ||||
| 高度 | - | 1.10mm | ||||
| 功率耗散Pd | 770mW(Ta) | 500mW(1/2W) | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 50mΩ@3.6A,10V | - | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 8.3ns | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 系列 | - | BSS306 | ||||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 4.4ns | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 264 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DMG3406L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.6A(Ta) |
￥0.9308
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264 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMG3406L-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.6A(Ta) |
￥1.1752
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5,954 | 对比 | ||||||||||||
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IRLML6346TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 63mΩ@3.4A,4.5V N-Channel 30V 3.4A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BSS306N H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
30V 2.3A 44mΩ 20V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规 PG-SOT23-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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